曾祥斌
,
徐重阳
,
饶瑞
,
JOHNNY K O Sin
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2001.04.020
采用NH3和N2O的等离子体分别对p-Si(多晶硅)薄膜表面进行了钝化处理,处理后的p-Si TFT(薄膜晶体管)具有比未处理TFT更优越的性能,通电试验与热应力试验后,处理后的器件呈现出更好的承受电负荷和热应力能力,钝化的微观机理是NH3和N2O等离子体中和了p-Si薄膜的悬挂键,形成牢固的Si-N键,减少了表面态密度.
关键词:
NH3
,
N2O
,
表面钝化
,
p-Si TFT
